- Kapazität: 2GB
- Anschluss: 240-Pin
- Unbuffered Non-ECC
- Bauform: SO-DIMM
- Herst.-Nr.: AW56M64B8BKK0M
Beschreibung
ATP 2GB DDR3 1600MHz – NES: Leistungsstarkes Unbuffered Non-ECC SODIMM DRAM Modul für Embedded Computer
DDR3 ist die derzeit am weitesten verbreitete Technologie am Markt. ATP bietet DDR3-SDRAMs in einer Vielzahl von Formfaktoren und Merkmalen an, einschließlich SODIMM und Mini-DIMM ATPs DDR3-Module liefern eine hohe Speicherbandbreite bei geringerem Energieverbrauch. DDR3-SDRAM wird von den aktuellsten Prozessoren und Chipsätzen unterstützt, wie unter anderem der Intel-Core-i7-Serie, AMDs AM3-Phenom-Prozessoren und AMDs neuesten Embedded-Enterprise-Chipsätzen. DDR3-Module sind mit Modulen älterer Generationen nicht Pin-kompatibel und haben Ausrichtungskerben, die ein Einstecken in nicht kompatible Sockel verhindern.
Neben Standardangeboten hat ATPs DDR3-Produktlinie verbesserte Zuverlässigkeitsoptionen, sowie eine gleichmäßige Beschichtung.
Herst.-Nr.: AW56M64B8BKK0M
Spezifikationen
Herst.-Nr.: AW56M64B8BKK0M
| ATP 2GB DDR3 1600MHz Unbuffered Non-ECC SODIMM | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Kapazität | 2GB | ||||
| Bauform | SO-DIMM | ||||
| Typ | Non-ECC Unbuffered | ||||
| Geschwindigkeit | DDR3-1600 | ||||
| Chip | 256×8 | ||||
| Spannung | 1,5V (Normal) 1,35V (Niederspannung) |
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| Temperatur | 0°C ~ 85°C | ||||
| Sonstiges | Fly-by command/address/ control/ bus mit on-DIMM termination Hohe Bandbreite von bis zu 1866 MT/s |
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